Mise à jour de l'inventaire des plaquettes de silicium de 4,6,8 pouces_20240311 SOI

Mar 12, 2024 Laisser un message

PARCELLE	PRODUIT	DIAMÈTRE	CRISTAL	TAPER	DOPANT	ORIENTATION	ÉPAISSEUR	RÉSISTIVITÉ
G8P131	DONC JE	200	CZ	P	B	100	725±15	14~19	Appareil : 55 ± 7,5 nm, 8 ~ 12 ohm.cm / Boîte : 145 ± 10 nm, encoche<110>
C19404-3-2	DONC JE	200	CZ	N / A	N / A	100	725±15	>750	Appareil : 210~230nm, 8~12 ohm.cm / Boîte : 2950~3050nm
G8P238S	DONC JE	200	CZ	P	B	100	725±15	14~19	Appareil : 200~240nm, 8~12 ohm.cm / Boîte : 1950~2050nm
G8P217	DONC JE	200	CZ	N / A	N / A	100	725±15	>750	Appareil : 210 ~ 230 nm, P<100>, 8~12 ohm.cm / Boîte : 1950~2050nm
G8P500	DONC JE	200	CZ	P	B	100	725±15	8~12	Appareil : 500 ± 50 nm / Boîte : 2950 ~ 3050 nm, orientation de l'encoche<110>
G8P600	DONC JE	200	CZ	P	B	100	725±15	8~12	Appareil : 600 ± 60 nm / Boîte : 2950 ~ 3050 nm, orientation de l'encoche<110>
G8P340	DONC JE	200	CZ	P	B	100	725±15	8~12	Appareil : 340 ± 25 nm / Boîte : 2900 ~ 3100 nm, orientation de l'encoche<110>
G8P288	DONC JE	200	CZ	P	B	100	725±15	>1000	Appareil : 145 ± 12,5 nm, 8 ~ 12 ohm.cm / Boîte : 400 ± 25 nm, encoche<110>
G8M107	DONC JE	200	CZ	N	Ph.	100	725±15	0.3~1.2	Appareil : 1500 ± 80 nm, P/B<100>, 14~22 ohm-cm / Boîte : 950~1050nm,Encoche<100>
230300058	DONC JE	150	CZ	P	B	100	450±5	1~10	Appareil : 15μm±0.5μm P 0.01~0.02 / Boîte : 5μm±5%,DSP
1511032	DONC JE	100	CZ	N		100	475±25	N / A	Appareil : 20μm±0.5 N 0.001~0.02 / Boîte : 15μm±3%
G8N70	DONC JE	200	CZ	N	Ph.	100	725±10	1~10	Appareil : 70μm±5% / Boîte : 1000nm±5%
G8K00318	DONC JE	200	CZ	P	B	100	625±10	>1000	Appareil : 1,5±0,5μm,<0.02 ohm.cm / Box : 2μm±5%
A0210	DONC JE	200	CZ	P	B	100	725±15	8.5~11.5	Appareil : 1250±100nm / Boîte : 400±40nm
112301	DONC JE	100	CZ	N	Sb	100	300	0.005~0.025	Appareil : 30μm / Boîte : 0,5μm
G6P163S	DONC JE	150	CZ	P	B	100	675±15	10~20	Appareil : 200~240nm, 10~20 ohm.cm / Boîte : 2850~3150nm