4,6,8inch Inventaire de l'inventaire de la plaquette de silicium

4,6,8inch Mise à jour de l'inventaire de la plaquette de silicium _202506

Jun 20, 2025 Laisser un message

PARCELLE	PRODUIT	DIAMÈTRE	CRISTAL	TAPER	Dopant	ORIENTATION	ÉPAISSEUR	RÉSISTIVITÉ
501061S	al	200	cz	P	B	100	725±25	1~100	{{0}} A Ti suivi par 8000a PVD pulvérisé AL-CU 0,5%
501201	Épitaxial	200	cz	P	B	100	700~750	<0.1	P \/ b t1 ~ 50 \/ r1 ~ 50, mfg 22- peut -2024
501202	Épitaxial	200	cz	N	PH rouge	100	700~750	0~0.05	N \/ Ph t1 ~ 1 0 \/ r0.01 ~ 1, mfg 27- peut -2024
522101	BRILLANT	200	cz	P	B	100	710~740	0.01~0.02
522102	BRILLANT	200	cz	P	B	100	710~740	0.009~0.02
522103	BRILLANT	200	cz	P	B	100	710~740	0.015~0.02
522104	BRILLANT	200	cz	P	B	100	705~745	0.014~0.022
522105	BRILLANT	200	cz	P	B	100	710~740	0.014~0.02
522106	BRILLANT	200	cz	P	B	100	725±15	0.001~0.003
522107	BRILLANT	200	cz	P	B	100	710~740	0.0025~0.0035
522108	BRILLANT	200	cz	P	B	100	725±15	0.005~0.01
522109	BRILLANT	200	cz	P	B	100	710~740	0.002~0.0033
522110	BRILLANT	200	cz	P	B	100	725±15	0.0035~0.004
522111	BRILLANT	200	cz	P	B	100	640±13	0.012~0.0175	Lto + nolm
522112	BRILLANT	200	N \/ A	N	Comme	100	725±15	0.001~0.003
522113	BRILLANT	200	cz	P	B	111	725±15	0.005~0.01
522114	BRILLANT	200	cz	P	B	100	725±50	1~65
522115	BRILLANT	200	cz	P	B	100	725±15	Moins ou égal à 40
522116	BRILLANT	200	cz	P	B	100	725±15	0.002~0.003
522117	BRILLANT	200	cz	P	B	100	710~740	0.0033~0.005
522118	BRILLANT	200	cz	P	B	100	725±15	0.003~0.004
522119	BRILLANT	200	cz	P	B	100	725±15	0.001~0.003
522120	BRILLANT	200	cz	P	B	111	725±20	0.002~0.005
522121	BRILLANT	200	cz	P	B	100	725±15	0.003~0.0035
522122	BRILLANT	200	cz	P	B	100	725±15	0.008~0.02
522123	BRILLANT	200	cz	P	B	100	725±15	0.0023~0.004
522124	Gravé	200	N \/ A	N \/ A	N \/ A	N \/ A	745	N \/ A	Lto + nolm
522125	BRILLANT	200	cz	P	B	100	705~745	0.01~0.02	Lto + nolm
SO617PRAU	Pulvérisation AU	150	cz	P	B	100	500±15	10~25	Pulvérisation TI30NM + AU100NM
PS241025006	Soi	200	cz	P	B	100	650±5	8~12	Dispositif: 3 0 ± 0. 5μm, 0. 0 1 ~ 0,02 ohm.cm \/ box: 1 ± 0,1μm, Notch<110>
503141	BRILLANT	100	cz	P	B	110	20000±100	1~100
PS250407006	Soi	200	cz	N	PH	100	725±10	1~10	Dispositif: 2 ± 0. 5 μm \/ boîte: 1000 nm ± 5%
PS250407007	Soi	200	cz	N	PH	100	725±10	1~10	Appareil: 1 0 ± 0,5 μm \/ boîte: 1000 nm ± 5%
PS250407008	Soi	200	CZ	N	PH	100	725±10	1~10	Appareil: 3 ± 0. 5 μm \/ boîte: 1000 nm ± 5%
505061	Jgs1	100					555±7		Dsp, sq ＜ 0. 5nm, 10\/5, ttv<5μm, Flat 32.5mm
505301	Oxyde + nitrure	200	CZ	P	B	100	725±25	1~100	Oxyde thermique de 3 μm +300 nm nitrure LPCVD
203171pw3pt	Pulvérisation pt	150	cz	N	PH	100	675±25	0.001~0.005	3000A Oxyde thermique + TI50NM + PT 200NM
506162	BRILLANT	200	cz	N	PH	100	700~750	1000~12000	N \/ Ph t1 ~ 1 0 \/ r0.01 ~ 1, mfg 27- peut -2024