Description

Paramètres techniques

Description du produit

La plaquette SiC epi est un produit semi-conducteur avancé de haute qualité sur le marché. Il s'agit d'un type de plaquette épitaxiale en carbure de silicium qui offre d'excellentes performances dans diverses applications électroniques et optiques. La plaquette épi SiC est fabriquée en utilisant des techniques avancées de croissance cristalline, ce qui donne un matériau de haute qualité aux propriétés supérieures.

L'un des avantages significatifs de la plaquette épi SiC est sa tension de claquage élevée, ce qui en fait un choix idéal pour les applications haute puissance et haute température. Il est également très résistant aux contraintes thermiques et mécaniques, ce qui garantit stabilité et durabilité même dans des environnements difficiles. Ses excellentes propriétés de conductivité thermique permettent une dissipation efficace de la chaleur, réduisant ainsi le risque de dommages thermiques aux composants électroniques.

La plaquette épi SiC est largement utilisée dans divers dispositifs électroniques et optoélectroniques, notamment l'électronique de puissance, l'éclairage et les capteurs. Il offre d'excellentes performances et fiabilité, même dans les applications exigeantes qui nécessitent des températures et une puissance élevées. De plus, il s’agit d’une alternative écologique et durable aux matériaux traditionnels à base de silicium, ce qui en fait un choix idéal pour les consommateurs soucieux de l’environnement.

4H TYPE N SiC 100MM, 350μm SPÉCIFICATION DE LA PLAQUE
Numéro de l'article	W4H100N-4-PO (ou CO)-350
Description	Substrat SiC 4H
Polytype	4H
Diamètre	(100+0.0-0.5) mm
Épaisseur	(350 ± 25) μm (qualité technique ± 50 μm)
Type de transporteur	type n
Dopant	Azote
Résistivité (RT)	0.012-0.025Ωwithoutcm (qualité ingénierie<0.025Ω▪cm)
Orientation de la plaquette	(4+0,5) degré
	Niveau d'ingénierie	Qualité de production	Qualité de production
	2.1	2.2	2.3
Densité des microtuyaux	Inférieur ou égal à 30 cm-²	Inférieur ou égal à 10 cm-²	Inférieur ou égal à 1cm-²
Zone libre de microtubes	Non spécifié	Supérieur ou égal à 96%	Supérieur ou égal à 96%
Plat d'orientation (OF)
Orientation	Parallèle {1-100} ±5 degrés
Longueur à plat d'orientation	(32,5 ± 2, 0) mm
appartement d'identification (IF)
Orientation	Face Si : 90 degrés CW, depuis l'orientation à plat ±5 degrés
identification longueur à plat	(18.0+2.0) millimètres
Surface	Option 1 : Polissage standard Si-face Polissage optique Epi-ready C-face
	Option 2 : Si-face CMP Epi-ready, polissage optique C-face
Emballer	Boîte d'expédition de plusieurs plaquettes (25)
	(Paquet de plaquette unique sur demande)

SiC 6H TYPE N, SPÉCIFICATIONS PLAQUE 2"
Numéro de l'article	W6H51N-0-PM-250-S
Description	Substrat SiC 6H de qualité production
Polytype	6H
Diamètre	(50,8 ± 38) mm
Épaisseur	(250 ± 25) euh
Type de transporteur	type n
Dopant	Azote
Résistivité (RT)	0.06-0.10Ωwithoutcm
Orientation de la plaquette	(0+0,5) degré
Densité des microtuyaux	Inférieur ou égal à 100 cm-²
Orientation à plat	Parallèle {1-100} ±5 degrés
Longueur à plat d'orientation	(15,88 ± 1,65) mm
Orientation à plat d'identification	Si-face : 90 degrés CW. orientation du front plate ±5 degrés
identification longueur à plat	(8+1,65) mm
Surface	Vernis standard Si-face Epi-ready
Surface	Face C emmêlée
Emballer	Emballage d'une seule tranche ou boîte d'expédition de plusieurs tranches

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SiC GaN Wafer1

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