Prenons comme exemple une plaquette de silicium monocristallin de 4- pouces :
Comme montré ci-dessus:
Orientation: <100>indique l'orientation cristallographique de la plaquette de silicium. Cette orientation a un impact important sur les propriétés électroniques et le processus de fabrication des dispositifs sur la plaquette.
Taper:P (bore) avec un plat primaire signifie que la plaquette est en silicium de type P, c'est-à-dire qu'elle est dopée au bore pour créer des trous en excès. « Un plat primaire » fait référence à la forme du bord de la plaquette, ce qui permet d'identifier la direction du réseau cristallin.
Résistance:1-10 Ohm-cm est la résistivité de la plaquette.
Grade:Prime / CZ Virgin indique la qualité et la pureté de la plaquette de silicium. « Prime » est la qualité la plus élevée et est utilisée pour les applications de haute précision ; « CZ » fait référence aux plaquettes de silicium monocristallines produites par la méthode CZ.
Enrobage:Aucun, l'oxyde natif signifie seulement qu'il n'y a pas de couche de film supplémentaire sur la surface de la plaquette, seulement une couche de dioxyde de silicium formée naturellement.
Épaisseur:L'épaisseur de la plaquette est de 525 µm (+/- 20 µm) et l'erreur est contrôlée à plus ou moins 20 microns. L'uniformité de l'épaisseur est essentielle pour les étapes de traitement ultérieures.
Diamètre:100 mm spécifie le diamètre de la plaquette.
Chaîne:<=30µm, the lower the warp, the better the wafer quality.
S'incliner : <=30µm, similar to warping, it is also a measure of wafer flatness.
Bord de positionnement principal :32.5 +/- 2.5mm indique la longueur du bord de positionnement principal de la plaquette, qui est utilisée pour localiser la direction de la plaquette. Certaines plaquettes ont également des bords de positionnement secondaires, comme illustré ci-dessous :
Rugosité de surface:0.2 - 0.3 nm, poli d'un côté signifie que la plaquette de silicium est une plaquette de silicium polie unique et que l'unité de rugosité de surface est le nanomètre.
