Oxydation thermique des plaquettes de siliciumest un processus dans lequel une couche de dioxyde de silicium est formée à la surface d'une plaquette de silicium à haute température. Ce procédé est largement utilisé dans la fabrication de dispositifs semi-conducteurs et de microélectronique.
Au cours du processus, la plaquette de silicium est placée dans un four et chauffée à haute température en présence d'oxygène ou de vapeur d'eau. À mesure que la température augmente, l’oxygène ou la vapeur d’eau réagit avec les atomes de silicium à la surface de la plaquette, formant une couche de dioxyde de silicium.
L'épaisseur de la couche d'oxyde peut être contrôlée en ajustant la température et la durée du processus. La couche d'oxyde résultante présente une surface lisse et une pureté élevée, ce qui est essentiel pour la production de dispositifs semi-conducteurs de haute qualité.
Le processus d'oxydation thermique est une étape critique dans la production de dispositifs semi-conducteurs, car il fournit une couche protectrice qui peut empêcher la contamination et améliorer la fiabilité et les performances des dispositifs. De plus, la couche d’oxyde peut agir comme un isolant, permettant la création de différentes régions de matériau semi-conducteur aux propriétés électriques variables.
En résumé, l’oxydation thermique des plaquettes de silicium est un processus crucial dans la fabrication de dispositifs semi-conducteurs et de microélectroniques. Il fournit une couche d'oxyde uniforme et de haute qualité qui améliore les performances et la fiabilité des dispositifs et permet la création de différentes régions de matériau semi-conducteur aux propriétés électriques variables.