Description du produit
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Paramètres de la plaquette de silicium poli 1 |
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Diamètre |
1 pouce-12 pouce |
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Épaisseur |
280um, 300um, 380um, 400um, 500um, 525um, 675um et personnaliser l'épaisseur |
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Taper |
Type P et type N |
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Dopé |
Bore non dopé, dopé, phosphore dopé ou arsenic |
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Orientation |
<100>, <111>, <110> |
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Résistivité |
1-10ohm.cm, 0.001-0.005ohm.cm, >1000ohm.cm and >20000ohm.cm |
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polonais |
DSP |
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Méthode |
CZ et FZ |
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Couche d'oxyde |
100, 200, 300 nm+/-10 % |
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Paramètres de la plaquette de silicium poli 2 |
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Diamètre |
50,8 mm |
76,2 mm |
100 millimètres |
125 mm |
150 mm |
200 mm |
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Tolérance de diamètre |
±0,4 mm |
±0,5 mm |
±0,5 mm |
±0,3 mm |
±0,3 mm |
±0,2 mm |
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Épaisseur |
280um |
381um |
525um |
625um |
675um |
725um |
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Tolérance épaisse |
±20um |
±20um |
±20um |
±15um |
±15um |
±15um |
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TTV |
Inférieur ou égal à 8um |
Inférieur ou égal à 10um |
Inférieur ou égal à 10um |
Inférieur ou égal à 10um |
Inférieur ou égal à 10um |
Inférieur ou égal à 10um |
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Pliant |
Inférieur ou égal à 25um |
Inférieur ou égal à 30um |
Inférieur ou égal à 40um |
Inférieur ou égal à 40um |
Inférieur ou égal à 50um |
Inférieur ou égal à 50um |
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TIR |
Inférieur ou égal à 5um |
Inférieur ou égal à 6um |
Inférieur ou égal à 6um |
Inférieur ou égal à 5um |
Inférieur ou égal à 5um |
Personnaliser |
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Longueur du plat principal |
16.0±2.0mm |
22,5 ± 2,5 mm |
32,5 ± 2,5 mm |
42,5 ± 2,5 mm |
57,5 ± 2,5 mm |
Personnaliser |
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Longueur du plat secondaire |
8.0±2.0mm |
11,5 ± 1,5 mm |
18.0±2.0mm |
27,5 ± 2,5 mm |
37,5 ± 2,5 mm |
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Remarque : s'il existe des exigences particulières en matière de paramètres, peut être personnalisé |
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Les plaquettes de silicium polies double face sont un produit de pointe qui révolutionne l'industrie des semi-conducteurs. Ces plaquettes sont soumises à un processus de polissage intensif qui garantit une surface lisse, brillante et sans imperfections des deux côtés.
Les avantages de l’utilisation de plaquettes de silicium polies double face sont infinies. Premièrement, ils offrent d’excellentes performances électriques, ce qui les rend idéaux pour une utilisation dans l’électronique haute performance telle que les microprocesseurs et les dispositifs de mémoire. Deuxièmement, leur surface de haute qualité permet une configuration plus précise des couches semi-conductrices. Cela se traduit à son tour par une augmentation du rendement et de l’efficacité du processus de production.
De plus, le processus de polissage double face confère aux plaquettes une plus grande résistance mécanique et durabilité, ce qui signifie qu'elles sont capables de résister aux rigueurs du processus de fabrication sans aucun dommage. Cela se traduit par moins de temps d’arrêt et moins de pertes dues à la rupture des tranches.
En résumé, si vous souhaitez faire passer votre fabrication de semi-conducteurs au niveau supérieur, l'utilisation de tranches de silicium polies double face est la voie à suivre. Les avantages sont nombreux et la qualité et la fiabilité de ces plaquettes sont inégalées. Alors pourquoi ne pas profiter de cette technologie de pointe et augmenter vos capacités de production dès aujourd’hui ?
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