Plaquette de silicium FZ

Plaquette de silicium FZ

FZ Silicon Wafer est un produit de haute qualité fabriqué selon la méthode Float Zone (FZ). Cette méthode consiste à faire fondre un monocristal de silicium, puis à le retirer de la masse fondue à une vitesse lente et contrôlée.
Envoyez demande
Discuter maintenant
Description
Paramètres techniques
Description du produit

 

FZ Silicon Wafer est un produit de haute qualité fabriqué selon la méthode Float Zone (FZ). Cette méthode consiste à faire fondre un monocristal de silicium, puis à le retirer de la masse fondue à une vitesse lente et contrôlée. Il en résulte un matériau semi-conducteur pur et sans défaut doté d'excellentes propriétés électriques.

 

La plaquette de silicium FZ est largement utilisée dans l'industrie des semi-conducteurs pour diverses applications, telles que la production de circuits intégrés, de cellules solaires, de capteurs, etc. La haute pureté et la faible densité de défauts de la plaquette la rendent idéale pour les dispositifs électroniques hautes performances qui nécessitent des performances précises et fiables.

 

FZ Silicon Wafer présente également une excellente uniformité des matériaux et une excellente finition de surface, ce qui améliore encore ses performances et sa fiabilité. La plaquette est disponible en différents diamètres et épaisseurs pour répondre à différentes applications et exigences.

 

Dans l’ensemble, FZ Silicon Wafer est un composant essentiel dans la fabrication d’appareils électroniques de haute qualité. Ses propriétés exceptionnelles contribuent à de meilleures performances, efficacité et fiabilité, ce qui en fait un matériau indispensable pour l'industrie des semi-conducteurs.

 

Croissance

CZ, MCZ, FZ

Grade

Prime, Test, Factice, etc.

Diamètre

D'autres diamètres, tels que 10 mm, 12,7 mm, 1,5″, 35 mm, 40 mm, 2,5″ sont également possibles

Épaisseur

50 ~ 3000um

Finition

Comme coupé, rodé, gravé, SSP, DSP, etc.

Orientation

(100) (111) (110) (211) (311) (511) (531) etc.

Coupé

Jusqu'à 4 degrés

Type/Dopant

P/B, N/Phos, N/As, N/Sb, intrinsèque

Résistivité

FZ : jusqu’à 20 000 ohms-cm

CZ/MCZ : De 0,001 à 150 ohm-cm

Films minces

* PVD : Al, Cu, Au, Cr, Si, Ni, Fe, Mo, etc.

* PECVD : Oxyde, Nitrure, SiC, etc.

* Plaquettes épitaxiales de silicium et services épitaxiaux (SOS, GaN, GOI, etc.).

Processus

DSP, ultra fin, ultra plat, etc.

Réduction des effectifs, broyage arrière, découpage en dés, etc.

MEMS

 

Image du produit
DSC01136
DSC01108
Pourquoi nous choisir

 

Nos produits proviennent exclusivement des cinq plus grands fabricants mondiaux et des principales usines nationales. Soutenu par des équipes techniques nationales et internationales hautement qualifiées et des mesures de contrôle de qualité strictes.

Notre objectif est de fournir aux clients une assistance individuelle complète, en garantissant des canaux de communication fluides, professionnels, rapides et efficaces. Nous proposons une faible quantité minimum de commande et garantissons une livraison rapide dans les 24 heures.

 

Exposition d'usine

 

Notre vaste inventaire se compose de 1000+ produits, garantissant que les clients peuvent passer des commandes pour une pièce seulement. Nos équipements propres pour le découpage en dés et le backgrinding, ainsi que notre pleine coopération dans la chaîne industrielle mondiale nous permettent une expédition rapide pour garantir la satisfaction et la commodité du client.

01
02
03

 

Notre certificat

 

Notre entreprise est fière des différentes certifications que nous avons obtenues, notamment notre certificat de brevet, notre certificat ISO9001 et notre certificat National High-Tech Enterprise. Ces certifications représentent notre dévouement à l'innovation, à la gestion de la qualité et à notre engagement envers l'excellence.

01
02
03
04
05
06
07
08
09
10
11
12
13
14

 

étiquette à chaud: plaquette de silicium fz, Chine fabricants de plaquettes de silicium fz, fournisseurs, usine